目前組裝技術的主要發展趨勢是SIP、BGA、CSP封裝使半導體器件向模塊化、高集成化和小型化方向發展。但是這樣的封裝與組裝工藝中，也存在很多問題，粘結填料處的有機物污染和電加熱中形成的氧化膜等。因為粘結表面有污染物的存在，導致這些元件的粘接強度降低和封裝后樹脂的灌封強度降低，直接影響到這些元件的組裝水平和后續工藝。為了解決和改善這一問題，大家都嘗試過各種解決辦法，最終經過大量實驗驗證，在LCD封裝工藝中適當地引入等離子清洗技術進行材料的表面改性處理，可以大大提高封裝的可靠性和成品率。

等離子定義

離子通常被稱為物質的第四態。前三種狀態是固體、液體和氣體。它們比較常見，并且存在于我們周圍。離子，雖然在宇宙的其他地方是豐富的，但只存在于地球上的特定環境中。離子的自然存在包括閃電和北極光。正如將固體轉化為氣體需要能量一樣，生產離聚物也需要能量。一定量的離子由帶電粒子和中性粒子（包括原子、離子和自由粒子）組成。離子可以傳導電并與電磁力反應。
當溫度升高時，物質從固體變成液體，液體變成氣體。當氣體的溫度升高時，氣體分子將分離成原子。如果溫度繼續升高，原子核周圍的電子將和原子分離，形成離子（正電荷）和電子（負電荷）。這種現象叫做“電離”。帶電離離子的氣體被稱為“等離子體”。因此，等離子體在自然界中通常被劃分為“第四態”，而不是“固體”、“液體”和“氣體”。
在實驗中，如果向氣體中施加電場，就會發生電離，這就是放電電離等離子體。事實上，自然界中99.9%的現象都是等離子體填充的。等離子體的定義是，當空間中離子的數量幾乎和電子的數量相同，并且空間是電中性時，它被稱為等離子體。

等離子清洗原理

向氣體物質中添加更多的能量，例如加熱，將產生等離子體。當氣體分子達到等離子體狀態時，就會分裂成許多高活性的粒子。這些裂變不是永久性的。一旦用于形成等離子體的能量消失，各種粒子重新結合形成原始氣體分子。與濕法清洗不同，等離子清洗的機制依賴于處于“等離子狀態”的物質的“活化”來去除表面污漬。從目前的各種清洗方法來看，等離子清洗也是所有清洗方法中最徹底的剝離清洗方法。
等離子體清洗通常采用激光、微波、電暈放電、熱離子化、電弧放電等方式將氣體激發到等離子體狀態。
在等離子體清洗應用中，主要使用低壓氣體輝光等離子體。一些非聚合的無機氣體(Ar2、N2、H2、O2等)在高頻和低壓下受到刺激，以產生含有離子、激發分子、自由基等的活性粒子。通常，在等離子體清洗中，活性氣體可分為兩類，一類是惰性氣體等離子體（如Ar2、N2），另一類是反應氣體等離子體（如O2、H2）。這些活性粒子可以與表面材料反應，反應過程如下：
電離——氣體分子——激發——激發態分子——清洗——活化表面
等離子體產生的原理是將射頻電壓（頻率約為幾十兆赫）施加到一組電極上，并在電極之間形成高頻交流電場。在交變電場的激勵下，該區域的氣體產生等離子體。有源等離子體在被清洗材料表面轟擊和反應，使被清洗材料的表面材料成為顆粒和氣體物質，通過真空放電，從而達到清洗的目的。

等離子體清洗的清洗過程原則上可分為兩個過程

過程1：去除有機化合物
首先，利用等離子體原理激活氣體分子。
O_2O+O+2e-，O+O_2O_3，O_3O+O_2
然后，O，O 3與有機物反應除去有機物。
有機化合物+O,O_3 CO_2+H_2
過程2是表面活化。
首先，利用等離子體原理激活氣體分子。
O_2O+O+2e-，O+O_2O_3，O_3O+O_2
然后通過O，O_3含氧官能團的表面活化來提高材料的粘附性和潤濕性。反應如下：
R+O-RO
R+O 2 ROO
在實際應用中，考慮到生產成本和實際穩定性，一般采用純ADC（壓縮空氣）、O2、N2，而氬氣僅用于某些特殊場合。這是通過氧自由基在等離子體中的運動使表面親水。當形成該親水性基團時，等離子體氧自由基與基底表面的碳結合，形成CO2，從而去除有機物。

等離子清洗機在LCD液晶行業中的應用

在玻璃基板（LCD）上安裝裸芯片IC（裸芯片IC）的COG工藝中，當芯片在高溫下粘結硬化時，基板涂層的成分沉淀在粘結填料的表面。有時，銀漿和其他連接劑溢出來污染粘合填料。如果在熱壓結合工藝前通過等離子清洗去除這些污染物，可大大提高熱壓結合的質量。此外，由于提高了裸芯片的基板與IC表面之間的潤濕性，LCD-COG模塊的鍵合緊密性也得以提高，并且線路腐蝕問題也得以減少。

等離子體清洗技術可以去除金屬、陶瓷、塑料、玻璃等表面的有機污染物，并顯著改變這些表面的附著力和焊接強度。電離過程易于控制和安全重復。可以說，有效的表面處理是提高產品可靠性和工藝效率的關鍵，等離子體技術是目前最理想的技術。通過表面活化，等離子體技術可以提高大多數物質的性能：清潔度、親水性、拒水性、內聚性、可伸縮性、潤滑性和耐磨性。